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J-GLOBAL ID：202002222508879267   整理番号：20A2238678

Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化

Promotion of nitrogen concentration in Na-flux by applying dynamic temperature profile

著者 (7件)： TANDRYO Ricksen (大阪大 大学院) ,  村上航介 (大阪大 大学院) ,  山田拓海 (大阪大 大学院) ,  北村智子 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  吉村政志 (阪大 レーザー研) ,  森勇介 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14p-A302-6  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】Naフラックス法は高品質GaN基板作製に有望な技術であるが、成長速度が大きな課題である。成長速度を決める要因であるフラックス中の窒素溶解量に関する理解は未熟であった。近年開発した4端子電気抵抗測定法によりフラックス中の窒素溶解量...【本文一部表示】

シソーラス用語： 過飽和 ,  高温 ,  フラックス法 ,  溶解 ,  溶解度 ,  *窒素 ,  *ナトリウム ,  溶解速度 ,  温度依存性 ,  窒化ガリウム ,  種結晶 ,  温度条件 ,  成長速度 ,  高品質 ,  過飽和度

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 成長条件 ,  Na ,  フラックス ,  窒素 ,  高濃度化