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J-GLOBAL ID：202102213152600471   整理番号：21A0696115

NVセンターの多量子ビット化のための高窒素含有有機化合物イオン注入法の高度化

Improvement of nitrogen-enriched implantation for creation of multi-qubits composed of NV centers

著者 (10件)： 木村晃介 (群馬大) ,  木村晃介 (量研) ,  小野田忍 (量研) ,  山田圭介 (量研) ,  加田渉 (群馬大) ,  川原田洋 (早稲田大) ,  渡邊幸志 (産業技術総合研) ,  磯谷順一 (筑波大) ,  花泉修 (群馬大) ,  大島武 (量研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8p-Z05-12  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】ダイヤモンド中の窒素・空孔(NV)センターは、室温で優れた磁気光学特性を持つ量子ビットとして知られている。NVセンター同士を多量子ビット化する方法の1つとして、窒素(N)イオン注入法があげられる。ダイヤモンド上に電子線描画法で穴...【本文一部表示】

シソーラス用語： *イオン ,  イオンビーム ,  磁石 ,  質量分析 ,  電圧 ,  粉体 ,  ダイヤモンド ,  水素 ,  *窒素 ,  *イオン注入 ,  イミド ,  *有機化合物 ,  カチオン ,  *量子ビット ,  鉱石 ,  宝石 ,  大環状化合物 ,  窒素複素環化合物 ,  架橋化合物 ,  芳香族縮合化合物

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (5件)： NVセンター ,  量子ビット ,  窒素含有有機化合物 ,  イオン注入法 ,  高度化