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J-GLOBAL ID：202102235982856629   整理番号：21A1971697

原子秩序ファセット表面をもつ多様な三次元Si構造の創成

Creation of various 3D Si structures with atomically ordered facet surfaces

著者 (11件)： 東嵩晃 (奈良先端科学技術大学院大) ,  IRMIKIMOV Aydar (奈良先端科学技術大学院大) ,  YANG H.B. (奈良先端科学技術大学院大) ,  阪井雄也 (奈良先端科学技術大学院大) ,  HASHAMOVA Emilia E. (奈良先端科学技術大学院大) ,  服部梓 (大阪大 産科研) ,  大坂藍 (大阪大 産科研) ,  田中秀和 (大阪大 産科研) ,  GUO F.Z. (大連交通大) ,  SHI X.Q. (大連交通大) ,  服部賢 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 76  号： 1  ページ： ROMBUNNO.PSJ-12  発行年： 2021年03月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： Si半導体デバイスの発展には微細化に加え、Fin-FETに代表される3次元(3D)構造化が重要となる。3D構造上でのモノ作りや更なるデバイス特性の向上には、3D立体表面(垂直側面やファセット面)の原子秩序化が必要とされる。しかし、3D立体表...【本文一部表示】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  制御 ,  *表面構造 ,  ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  ドライエッチング ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  低速電子回折 ,  結晶構造 ,  配列 ,  原子配列 ,  *シリコンウエハ ,  走査電子顕微鏡法 ,  *構造
準シソーラス用語： フィン型トランジスタ ,  *Si基板 ,  走査電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子 ,  ファセット ,  Si ,  創成