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J-GLOBAL ID：202102264007110407   整理番号：21A0696154

エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明

Elucidating thermal conductivity reduction mechanism in SiGe thin films including epitaxial Ge nanodots

著者 (3件)： 谷口達彦 (大阪大 大学院) ,  石部貴史 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8p-Z09-13  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景・目的】ユビキタス元素Si系熱電材料は、高い熱電出力因子(~45μWcm-1K-2@室温)を示すものの、熱伝導率が高い(~150Wm-1K-1)ため、熱電性能が低いという課題がある。これまで我々は、独自の極薄Si酸化膜技術を用いてGe...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  熱抵抗 ,  *熱伝導率 ,  *薄膜 ,  フォノン ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  酸化膜 ,  多層膜 ,  薄膜成長 ,  MBE成長 ,  蒸着 ,  熱電材料 ,  *ナノドット ,  フォノン散乱 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  Ge ,  ナノドット ,  SiGe ,  薄膜 ,  熱伝導率