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J-GLOBAL ID：202102278521059129   整理番号：21A0959810

完全結晶表面を作製した成長用単結晶基板上での50nmVO₂極薄の相転移特性の評価

Investigation of the physical properties of 50 nm-VO₂ ultra-thin film on atomically flattened and highly crystallized growth-substrate

著者 (5件)： 大坂藍 (大阪大 産科研) ,  BUI Van Pho (JTEC) ,  山内和人 (大阪大 大学院) ,  田中秀和 (大阪大 産科研) ,  服部梓 (大阪大 産科研)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集(CD-ROM)  (精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集(CD-ROM))
巻： 2021  号： 春季  ページ： ROMBUNNO.F0102  発行年： 2021年03月03日 
JST資料番号： Y0914B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 触媒表面基準エッチング法を用いて作製した平滑性,結晶性ともに優れる完全表面が薄膜の結晶性,機能性に与える影響を調査した。Si,Al₂O₃基板に完全表面を作製し,50nm-VO₂薄膜の機能性を評価した。完全表面の実現により,基板,薄膜の結晶性向上を確認し,50nm厚さのVO₂/CARE-Al₂O₃では未加工の100倍以上の抵抗変調を示す相転移特性を実現した。発表では,VO₂/Siサンプルの評価結果を交え,基板表面の完全化が薄膜物性に与える影響を議論する。(著者抄録)

シソーラス用語： *結晶 ,  基板 ,  単結晶 ,  *超薄膜 ,  *相転移 ,  酸化バナジウム ,  *完全結晶 ,  単結晶基板
準シソーラス用語： 極薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (5件)：

• D. T. Margulies et al., Phys. Rev. Lett., 79 (1997) 5162-5165.
• H. Hara et al., J. Electron. Mater., 35 (2006) L11.
• P. V. Bui et al., Appl. Phys. Lett., 107 (2015) 201601.
• A. Isohashi et al., Appl. Phys. Lett., 110 (2017) 201601.
• D. Toh et al., Rev. Sci. Instrum., 90 (2019) 333-338.

タイトルに関連する用語 (7件)： 結晶表面 ,  作製 ,  成長 ,  単結晶基板 ,  極 ,  相転移 ,  評価