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J-GLOBAL ID：202102288346415225   整理番号：21A1573199

酸化物四端子型メモリスタの結晶微細構造と電気特性

Crystalline microstructure and electric property of four-terminals oxide memristors

著者 (6件)： 藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  三宅亮太郎 (大阪大 大学院) ,  谷口奈穂 (大阪大 大学院) ,  上甲守治 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.16p-Z04-6  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 電界誘起による局所酸化・還元にもとづく不揮発的な抵抗変化を示す酸化物の系は、新規の受動素子であるメモリスタとしての特性を備え、非従来型記憶論理演算素子(人工シナプス)への応用が期待されている。本研究では、基材として酸化チタンや酸化ガリウムを...【本文一部表示】

シソーラス用語： 結晶化 ,  結晶構造 ,  電場 ,  電着 ,  ドナー ,  物理的性質 ,  酸化チタン ,  シナプス ,  *電気特性 ,  二次元 ,  その場観察 ,  ドーパント ,  素反応 ,  酸素空格子点
準シソーラス用語： *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  メモリスタ ,  結晶微細構造 ,  電気特性