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J-GLOBAL ID：202202226822687667   整理番号：22A0139296

テラヘルツ時間領域偏光解析法による10 20cm-3キャリア密度の光高密度半導体の測定【JST・京大機械翻訳】

Measurement of Optically Dense Semiconductor with 10²⁰ cm^-3 Carrier Density by Terahertz Time-Domain Ellipsometry

著者 (9件)： AGULTO Verdad C. (Osaka Univ.) ,  IWAMOTO Toshiyuki (Nippo Precision Co., Ltd.) ,  KITAHARA Hideaki (Osaka Univ.) ,  TOYA Kazuhiro (Osaka Univ.) ,  MAG-USARA Valynn Katrine (Osaka Univ.) ,  IMANISHI Masayuki (Osaka Univ.) ,  MORI Yusuke (Osaka Univ.) ,  YOSHIMURA Masashi (Osaka Univ.) ,  NAKAJIMA Makoto (Osaka Univ.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.12p-N405-4  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

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シソーラス用語： 単結晶 ,...

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分類 (5件)： 生体の顕微鏡観察法  (EA03050C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B) ,  材料学  (YM02040O) ,  固体レーザ  (BD04080W)

タイトルに関連する用語 (5件)： テラヘルツ ,  時間領域 ,  偏光解析法 ,  キャリア密度 ,  高密度