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J-GLOBAL ID:202202274915051473   整理番号:22A0132082

H3共振器によるEu添加GaNフォトニック結晶共振器のQ値向上と光学特性評価

Fabrication and optical characterization of Eu-doped GaN-based high-Q H3 photonic crystal cavities
著者 (7件):
資料名:
巻: 82nd  ページ: ROMBUNNO.10p-N101-13  発行年: 2021年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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【はじめに】我々はこれまでに、有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法で成長させたEu添加GaN(GaN:Eu)を活性層に用いてGaN系赤色発光ダイオードを実現している[1]。発光素子のさらなる発展として、2次元フォトニック結晶(2D-P...【本文一部表示】
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分類 (3件):
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レーダ  ,  半導体レーザ  ,  その他の光デバイス 

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