研究者
J-GLOBAL ID：200901001948614043   更新日: 2024年10月20日

藤原 康文

フジワラ ヤスフミ | Fujiwara Yasufumi
所属機関・部署：
立命館大学

立命館大学 について


研究分野 (3件)： 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (4件)： 電子・電気材料工学 ,  応用物性・結晶工学 ,  Electronic and Electric Materials Engineering ,  Applied Physics of Property and Crystallography
競争的資金等の研究課題 (55件)：
  • 2023 - 2028 半導体イントラセンター・フォトニクスの新展開
  • 2024 - 2027 革新的マイクロLEDディスプレイ実現に向けた希土類添加GaN LEDの事業化
  • 2018 - 2023 半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓
  • 2017 - 2019 超狭帯域発光ダイオードによる細胞光エンジニアリング
  • 2017 - 2019 半導体における希土類発光機能のフォトン場制御
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論文 (376件)：
  • Tomoaki Nambu, Masashi YOSHIMURA, Yusuke Mori, Yasufumi FUJIWARA, Ryota Ishii, Yoichi KAWAKAMI, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA. 199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laser. Applied Physics Express. 2024
  • Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Volkmar Dierolf, Brandon Mitchell, Hayley Austin, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara. An efficiently excited Eu3+ luminescent site formed in Eu,O-codoped GaN. AIP Advances. 2024. 14. 2
  • Fumikazu Murakami, Atsushi Takeo, Brandon Mitchell, Volkmar Dierolf, Yasufumi Fujiwara, Masayoshi Tonouchi. Enhanced luminescence efficiency in Eu-doped GaN superlattice structures revealed by terahertz emission spectroscopy. Communications Materials. 2023. 4. 100
  • Zhidong Fang, Jun Tatebayashi, Ryohei Homi, Masayuki Ogawa, Hirotake Kajii, Masahiko Kondow, Kyoko Kitamura, Brandon Mitchell, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara. Enhancement of Er luminescence from bridge-type photonic crystal nanocavities with Er, O-co-doped GaAs. Optics Continuum. 2023. 2. 10. 2178-2178
  • Ryosuke Noro, Mariko Adachi, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama. Fabrication of polarity inverted LiNbO3/GaN channel waveguide by surface activated bonding for high-efficiency transverse quasi-phase-matched wavelength conversion. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 10. 102001-102001
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MISC (157件)：
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特許 (13件)：
  • 希土類添加半導体素子とその製造方法
  • 窒化物半導体基板とその製造方法および半導体デバイス
  • 希土類添加窒化物半導体素子とその製造方法、半導体LED、半導体レーザー
  • AlInN膜および2次元フォトニック結晶共振器とこれらの製造方法ならびに半導体発光素子
  • 近赤外発光半導体素子とその製造方法
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書籍 (23件)：
  • "Extremely large Er excitation cross section in Er,O-codoped GaAs light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy"
    Materials Research Society Symposium Proceedings, Progress in Semiconductors II--Electronic and Optoelectronic Applications 2003
  • "ESR study of heavily doped GaAs:Er grown by organometallic vapor phase epitaxy"
    EPR in the 21st Century: Basics and Applications to Material, Life and Earth Sciences 2002
  • "Organometallic vapor phase and droplet heteroepitaxy of quantum structur"
    InP and Related Compounds -Materials, Applications and Devices-, Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices 2000
  • "Growth condition dependences of optical properties of Er in InP and local structures"
    InP and Related Compounds -Materials, Applications and Devices-, Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices 2000
  • "Formation of InGaAs Dots on InP Substrate with Lattice-Matching Growth Condition by Droplet Heteroepitaxy"
    Institute of Physics Conference Series 1999
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講演・口頭発表等 (8件)：
  • Enhanced Eu luminescence in GaN: Eu,O-based light emitting diodes via introduction of nanostructures and nanocavities
    (Proceedings of AM-FPD 2020 - 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials 2020)
  • Evaluations of Selective Dry Etching of GaAs Core Layer having Embedded InAs Quantum Dots Using Optical Measurements towards Photonic Crystal Laser Fabrication
    (2020 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD) 2020)
  • Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition
    (Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.69-70, Osaka, Japan. 2006)
  • Photoluminescence properties of ion-beam synthesized b-FeSi2/Si interface [Invited Talk]
    (Proceedings of the International Workshop on Sustainable Energy and Materials (Tokyo, Japan, September 5, 2006) pp. 3-39-3-42. 2006)
  • Characterization of Epitaxial Silicon Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures(450-600°C)
    (Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.1094-1095. 2006)
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Works (5件)：
  • 希土類元素添加半導体を基盤とした波長超安定新規発光デバイスの高性能化
    2004 -
  • 原子レベル制御による新規量子機能材料の創製
    2004 -
  • 希土類添加III-V族半導体を用いた波長超安定発光デバイスの開発
    2004 -
  • 希土類元素添加半導体における電流励起光学利得とその最適化
    2004 -
  • 希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
    2004 -
学歴 (3件)：
  • 1983 - 1985 大阪大学 基礎工学研究科 物理系専攻電気工学分野博士後期課程
  • 1981 - 1983 大阪大学 基礎工学研究科 物理系専攻電気工学分野博士前期課程
  • 1977 - 1981 大阪大学 基礎工学部 電気工学科
学位 (1件)：
  • 工学博士 (大阪大学)
経歴 (19件)：
  • 2024/04 - 現在 大阪大学 名誉教授
  • 2024/04 - 現在 大阪大学 エマージングサイエンスデザインR3センター 特任教授/副センター長
  • 2024/04 - 現在 大阪大学 産業科学研究所 特任教授
  • 2024/04 - 現在 立命館大学 総合科学技術研究機構 教授
  • 2022/04 - 2024/03 大阪大学 エマージングサイエンスデザインR3センター センター長
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委員歴 (5件)：
  • 2020/03 - 2022/03 公益社団法人応用物理学会 副会長
  • 2009 - (社)日本金属学会 セミナー・シンポジウム委員会委員
  • 2008 - (社)日本材料学会 学会将来構想WGメンバー
  • 2007 - (社)日本金属学会 分科会委員会委員
  • 2004 - Japanese Journal of Applied Physics 編集委員
受賞 (18件)：
  • 2023/03 - (公社)応用物理学会 第44回応用物理学会優秀論文賞
  • 2021/12 - International Display Workshop 2021 (IDW'21) Best Paper Award Eu-Doped GaN-Based Red LEDs as a Key Technology for Micro-LED Displays with Ultrahigh Resolution
  • 2021/11 - 国立大学法人大阪大学 大阪大学賞(教育貢献部門) 工学分野でのASEANキャンパスを活用した双方向ハイブリッド型教育プログラム推進
  • 2021/01 - 電気化学会蛍光体同学会 蛍光体賞 次世代マイクロLEDディスプレイに資するEu添加GaN赤色発光ダイオードの高輝度化とRGB集積化
  • 2020/04 - 文部科学省 文部科学大臣表彰科学技術賞(研究部門) 半導体イントラセンターフォトニクスの開発
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所属学会 (5件)：
(公社)日本材料学会 ,  (公社)日本金属学会 ,  (公社)応用物理学会 ,  日本希土類学会 ,  (一社)レーザー学会
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