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J-GLOBAL ID：202402274181007390   整理番号：24A0928805

4層極性反転AlN薄膜のスパッタ・アニール法による作製と界面評価

Preparation and Interface Evaluation of 4-Layer Polarity-Inverted AlN Thin Film by Sputtering and Annealing

著者 (12件)： 玉野智大 (三重大 大学院) ,  正直花奈子 (三重大 大学院) ,  正直花奈子 (京大 大学院) ,  秋山亨 (三重大 大学院) ,  本田啓人 (大阪大 大学院) ,  佐藤栄希 (大阪大 大学院) ,  上杉謙次郎 (三重大 共創機構) ,  上杉謙次郎 (三重大 大学院) ,  上向井正裕 (大阪大 大学院) ,  谷川智之 (大阪大 大学院) ,  片山竜二 (大阪大 大学院) ,  三宅秀人 (三重大 大学院)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 52nd  ページ： ROMBUNNO.O5p-C02  発行年： 2023年12月04日 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 波長変換デバイスの変換効率を改善するために,積...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *界面 ,  高温 ,  コントラスト ,  酸化 ,  *焼なまし ,  *薄膜 ,  表面エネルギー ,  *アルミニウム ,  波長 ,  *窒化アルミニウム ,  スパッタ蒸着 ,  透過型電子顕微鏡 ,  第二高調波発生 ,  サファイア基板 ,  第一原理計算

分類 (5件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  結晶成長一般  (BK13010Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： 4層 ,  極性反転 ,  AlN ,  薄膜 ,  スパッタ ,  アニール ,  作製 ,  界面 ,  評価