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J-GLOBAL ID：200902116505988876   整理番号：99A0975066

高濃度イオン注入におけるCo/Si界面のコンタクト抵抗に関する研究

著者 (7件)： 中塚理 (名古屋大 大学院) ,  芦沢哲夫 (名古屋大 大学院) ,  仲井健理 (名古屋大 大学院) ,  飛岡晃洋 (名古屋大 大学院) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院) ,  財満鎮明 (名古屋大) ,  安田幸夫 (名古屋大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 60th  号： 2  ページ： 726  発行年： 1999年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高濃度 ,  イオン注入 ,  CO ,  Si ,  界面 ,  コンタクト抵抗 ,  研究