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J-GLOBAL ID：200902127236295534   整理番号：97A0173169

In-situ電気化学プロセスによるInP系化合物半導体への高いショットキー障壁形成

High Schottky Barrier Formation on Indium Phosphide-Based Materials by In-Situ Electrochemical Process.

著者 (3件)： 佐藤威友 (北大 量子界面エレクトロニクス研セ) ,  橋詰保 (北大 量子界面エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子界面エレクトロニクス研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 96  号： 352(ED96 112-119)  ページ： 9-15  発行年： 1996年11月08日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： In-situ電気化学プロセスによる新しいショットキー障壁形...

シソーラス用語： Schottky障壁ダイオード ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (21件)：

• SZE, S. M. Physics of Semiconductor Devices. 1981
• HEINE, V. Phys. Rev. Lett., A. 1965, A138, 1689
• TERSOFF, J. Phys. Rev. Lett. 1984, 52, 465
• SPICER, W. E. J. Vac. Sci. & Technol. 1980, 17, 5, 1019
• HASEGAWA, H. J. Vac. Sci. & Technol., B. 1986, B4, 1130

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学 ,  プロセス ,  InP ,  化合物半導体 ,  ショットキー障壁