文献

J-GLOBAL ID：200902135307272150   整理番号：99A0512451

カーボン60吸着シリコン表面の電子状態

Electronic State of the Carbon 60 Adsorbed Silicon Surfaces.

著者 (6件)： 坂本一之 (東北大 大学院) ,  近藤大雄 (東北大 大学院) ,  牛見義光 (東北大 大学院) ,  木村昭夫 (東大 物性研) ,  柿崎明人 (高エネルギー加速器研究機構) ,  須藤彰三 (東北大 大学院)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 42  号： 3  ページ： 143-146  発行年： 1999年03月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si(111)-(7×7)及びSi(100)-(2×1)表面...

シソーラス用語： *フラーレンC60 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0512451&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0194A") }}

分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

引用文献 (11件)：

• WANG, X. D. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31
• CHEN, D. Phys. Rev. 1995, B50, 10905
• HASHIZUME, T. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2. 1992, 31
• KLYACHKO, D. Phys. Rev. Lett. 1995, 75, 3693
• CHEN, D. Surf. Sci. 1995, 329, 206

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボン ,  吸着 ,  シリコン ,  電子状態