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J-GLOBAL ID：200902135563946886   整理番号：97A0835683

Ce及びYb近藤半導体の結晶育成とギャップ構造の比較 (文部省S)

Crystal growth of Kondo lattice semiconductor of Ce and Yb, and comparison of the gap structure.( Ministry of Education S ).

著者 (9件)： 高畠敏郎 (広島大 理) ,  伊賀文俊 (広島大 理) ,  板東能生 (広島大 理) ,  清水直樹 (広島大 理) ,  中本剛 (広島大 総合科) ,  世良正文 (東北大 金材研) ,  広井政彦 (東北大 金材研) ,  BRUECKL A (Walther Meissner Inst.) ,  ANDRES K (Walther Meissner Inst.)
資料名： 強相関伝導系の物理3 平成8年度 No.06244102  (文部省科学研究費補助金(重点領域研究1)研究成果報告書)
ページ： 10-14  発行年： 1997年 
JST資料番号： N19972202  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ce ,  Yb ,  近藤半導体 ,  結晶育成 ,  ギャップ ,  文部省S