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J-GLOBAL ID：200902142511406405   整理番号：98A0481954

液滴エピタキシー法によるInP(001)上へのInGaAsドットの形成

Formation of InGaAs quantum dots on InP(001) surface by droplet epitaxy.

著者 (7件)： 野々垣陽一 (名古屋大 大学院) ,  井口直 (名古屋大 大学院) ,  淵真悟 (名古屋大 大学院) ,  大賀涼 (名古屋大 大学院) ,  守屋博光 (名古屋大 大学院) ,  藤原康文 (名古屋大 大学院) ,  竹田美和 (名古屋大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 45th  号： 1  ページ： 503  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 液滴エピタキシー ,  InP ,  InGaAs ,  ドット