超高真空気相成長法によるシリコン低温結晶成長における水素の効果

辰巳徹; 酒井朗; 宮永恵子

文献

J-GLOBAL ID：200902192141797539 整理番号：95A1027800

超高真空気相成長法によるシリコン低温結晶成長における水素の効果

Effect of adsorbed hydrogen on low-temperature epitaxial growth in ultra-high. Vacuum chemical-vapor-deposition.

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巻： 64 号： 11 ページ： 1129-1132 発行年： 1995年11月
JST資料番号： F0252A ISSN： 0369-8009 CODEN： OYBSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

ガスソースを用いたシリコン低温結晶成長技術のデバイス応用が進...

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半導体薄膜 , 半導体の表面構造

引用文献 (10件)：

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