FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化

文献

J-GLOBAL ID：200902192893199762 整理番号：99A0661591

Reduction of dislocation density of HVPE-grown GaN on sapphire substrate by using facet-initiated epitaxial lateral overgrowth technique.

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巻： 26 号： 2 ページ： 25-26 発行年： 1999年07月01日
JST資料番号： F0452B ISSN： 0385-6275 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

引用文献 (6件)：

NAKAMURA, S. Proc. 2^ Intern. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan. 1998, 371
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SAKAI, A. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2259
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