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J-GLOBAL ID：200902132027893690   整理番号：97A0733203

水素化物気相エピタクシーによる低い転位密度を持つ厚いGaNのエピタキシャル成長

Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy.

著者 (4件)： USUI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUNAKAWA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SAKAI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  YAMAGUCHI A A (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36  号： 7B  ページ： L899-L902  発行年： 1997年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタキシャル(HVPE)システムを用いてGaC...

シソーラス用語： 気相成長 ,...
準シソーラス用語： VPE成長

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74
• 2) I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike and H. Amano: Electron. Lett. 32 (1996) 1105.
• 3) K. Itaya, M. Onomura, J. Nishino, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi and M. Ishikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1315
• 4) S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford and D. A. Steigerwald: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1249
• 5) S. Porowski, J. M. Baranowski, M. Leszczynski, J. Jun, M. Bockowski, I. Grzegory, S. Krukowski, M. Wroblewski, B. Lucznik, G. Nowak, K. Pakula, A. Wysmolek, K. P. Korona and R. Stepniewski: Proc. Int. Symp. Blue Laser and Light Emiting Diodes, Chiba, 1966 (Ohmsha, Tokyo, 1966) p. 38.

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化物気相エピタクシー ,  転位密度 ,  GaN ,  エピタキシャル成長