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J-GLOBAL ID：200902196516484342   整理番号：03A0115859

バルク成長分科会特集 結晶成長の科学と技術 ヘテロエピタキシャル成長における歪緩和と貫通転位の低減 Si(001)基板上の高品質Si_1-xGe_x歪緩和層の成長

Strain Relaxation and Threading Dislocation Reduction in Heteroepitaxy. Growth of high-quality strain-relaxed Si_1-xGe_x layers on Si(001) substrates.

著者 (3件)： 酒井朗 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  財満鎮明 (名古屋大 先端技術共同研セ) ,  安田幸夫 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 29  号： 5  ページ： 423-430  発行年： 2002年12月25日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si(001)基板上に高品質の歪み緩和したSi<sub>1-...

シソーラス用語： エピタクシー ,...
準シソーラス用語： 歪緩和

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (23件)：

• 1) MII Y. J. Appl. Phys. Lett.. (1991) vol.59, p.1611.
• 2) NAYAK D. K. Appl. Phys. Lett.. (1993) vol.62, p.2853.
• 3) WELSER J. J. Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet.. (1994) vol.94, p.373.
• 4) LUTZ M. A. Appl. Phys. Lett.. (1995) vol.66, p.724.
• 5) 酒井朗. 応用物理. (1999) vol.68, p.774.

タイトルに関連する用語 (9件)： バルク ,  成長 ,  分科会 ,  結晶成長 ,  科学 ,  歪緩和 ,  貫通転位 ,  Si ,  高品質