文献

J-GLOBAL ID：200902202578060883   整理番号：09A1035283

液相化学センサへの応用を目的としたInPを基本とするオープンゲート型電界効果トランジスタに関する基本的な研究

Fundamental Study of InP-Based Open-Gate Field-Effect Transistors for Application to Liquid-Phase Chemical Sensors

著者 (3件)： YOSHIZAWA Naoki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SATO Taketomo (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 9,Issue 1  ページ： 091102.1-091102.4  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,InPを基本とするオープンゲート型電界効果トランジスタ(FET)が液相化学センサとして旨く作動するということを証明する。オープンゲート型FETは電解質中において電流の明確な飽和現象とピンチオフ効果を示し,電解質を通して印加されるゲートバイアスに素早い応答を示すことが分かった。センサの特性に関する一連の測定から,InPの表面ポテンシャルは電解質の3~12のpH値に対して直線的に変化することが分かった。オープンゲート型FETのpH感度は電解質内に含まれるイオンの種類に依存する。Si₃N₄層はInPを基本とするオープンゲート型FETでは,H⁺イオンの選択性を改善するための優れたイオン選択性を有する薄膜として有用であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学センサ ,  液相 ,  *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  ゲート【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電解質溶液 ,  電流 ,  飽和 ,  ピンチオフ ,  pHセンサ ,  感度 ,  イオン ,  選択性
準シソーラス用語： イオン選択性 ,  オープンゲート

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (19件)：

• P. Bergveld: IEEE Trans. Biomed. Eng.17(1970)70.
• P. Bergveld: IEEE Trans. Biomed. Eng.19(1972)342.
• M. Esashi and T. Matsuo: IEEE Trans. Biomed. Eng.25(1978)184.
• L. Bousse, N. F. De Rooij, and P. Bergveld: IEEE Trans. Electron Devices 30(1983)1263.
• M.-N. Niu, X.-F. Ding, and Q.-Y. Tong: Sens. Actuators B 37(1996)13.

タイトルに関連する用語 (7件)： 液相 ,  化学センサ ,  応用 ,  InP ,  ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  研究