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J-GLOBAL ID:200902206311692940   整理番号:06A0266111

仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge1-xSnxバッファ層の成長と構造評価

著者 (6件):
資料名:
巻: 53rd  号:ページ: 413  発行年: 2006年03月22日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 

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