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J-GLOBAL ID：200902239021127676   整理番号：03A0398718

R面,A面,C面サファイア基板の誘電率測定とその基板を用いたYBCO薄膜の形成

Measurement of dielectric constant of R-, A-, C-plane sapphire substrates and fabrication of YBCO thin films on these substrates.

著者 (6件)： 白川政信 (山形大 工) ,  渡部忍 (山形大 工) ,  相沢慶二 (山形大 工) ,  楠正暢 (山形大 工) ,  向田昌志 (山形大 工) ,  大嶋重利 (山形大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 103  号： 20(SCE2003 1-12)  ページ： 1-7  発行年： 2003年04月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： サファイア基板は超伝導マイクロ波デバイスの基板として期待され...

シソーラス用語： 結晶方位 ,...

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分類 (2件)： R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (3件)： サファイア基板 ,  誘電率測定 ,  YBCO薄膜