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J-GLOBAL ID：200902240635832390   整理番号：09A1003587

結晶性改良を施したメサ型InAlAs-APDの光子検出特性

著者 (6件)： 中田武志 (NEC ナノエレクトロニクス研) ,  水木恵美子 (NEC ナノエレクトロニクス研) ,  高橋成五 (NEC システムプラットフォーム研) ,  牧田紀久夫 (NEC ナノエレクトロニクス研) ,  富田章久 (NEC ナノエレクトロニクス研) ,  富田章久 (JST-ERATO)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1063  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  *半導体薄膜 ,  アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  化合物半導体 ,  *MBE成長 ,  メサ構造 ,  結晶度 ,  雑音低減 ,  暗電流
準シソーラス用語： *InAlAs ,  アフターパルス発生効果 ,  光子検出効率

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶性 ,  メサ型 ,  InAlAs ,  APD ,  光子