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J-GLOBAL ID：200902255077277315   整理番号：04A0699682

傾斜蒸着法によるウェットプロセスフリー・トップコンタクト型ナノギャップ電極の作製

著者 (6件)： 大塚洋一 (大阪大 産研) ,  内藤泰久 (産業技術総合研) ,  松本卓也 (大阪大 産研) ,  水谷亘 (産業技術総合研) ,  田畑仁 (大阪大 産研) ,  川合知二 (大阪大 産研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 3  ページ： 1194  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *真空蒸着 ,...
準シソーラス用語： 橋架け ,...

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分類 (3件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  生体物質一般  (EB02010G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィリン

タイトルに関連する用語 (3件)： 蒸着 ,  ナノギャップ電極 ,  作製