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J-GLOBAL ID：200902264624865447   整理番号：09A1122088

トリフルオロアセチル末端電気陰性共役オリゴマー用の電子移動度の総合評価

Comprehensive Evaluation of Electron Mobility for a Trifluoroacetyl-Terminated Electronegative Conjugated Oligomer

著者 (11件)： IE Yutaka (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NITANI Masashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  UEMURA Takafumi (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  TOMINARI Yukihiro (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  TAKEYA Jun (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  TAKEYA Jun (JST-PRESTO, Kawaguchi, JPN) ,  HONSHO Yoshihito (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SAEKI Akinori (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SEKI Shu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SEKI Shu (JST-PRESTO, Kawaguchi, JPN) ,  ASO Yoshio (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 113  号： 39  ページ： 17189-17193  発行年： 2009年10月01日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 末端位置にトリフルオロアセチル基を持つ電気陰性オリゴマーを合成し,その電子物性および構造を,分光分析,電気化学的測定およびX線回折によって検討した。薄膜FET素子,単結晶FET素子,および時間分解マイクロ波伝導率(TRMC)測定によって2T-FAcの電子移動度を上手く評価した。著者等の知る限り,n型有機半導体材料に対してこれ等の方法から推定した電子移動度の直接比較は未だ報告されていない。3つの方法の内で,無電極測定が最大の電子移動度を与えており,分子性質や積層構造だけでなく,ゲート誘電体や金属電極との界面までもの重要性を再び示していた。他のn型材料での電子移動度の評価および薄膜OFET素子の性能改良に関する更なる検討を実施している。

シソーラス用語： *フッ素化 ,  *アセチル基 ,  *末端基 ,  電気陰性度 ,  *共役 ,  *オリゴマ ,  *キャリア移動度 ,  評価 ,  薄膜 ,  単結晶 ,  FET【トランジスタ】 ,  N型半導体 ,  有機半導体 ,  時間分解能 ,  マイクロ波 ,  電気伝導率 ,  酸化膜 ,  電極 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  金属電極 ,  総合評価 ,  *電子移動度

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  硫黄複素環化合物一般  (CF07030V) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： 5,5′-ビス[4-(トリフルオロアセチル)フェニル]-2,2′-ビチオフェン

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気陰性 ,  共役 ,  オリゴマー ,  電子移動度 ,  総合評価