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J-GLOBAL ID：200902276254054531   整理番号：04A0344361

Ni/Ti/Si(001)系における低温形成エピタキシャルNiSi₂層の歪み構造と成長機構

著者 (5件)： 中塚理 (名大 理工総研) ,  大久保和哉 (名大 院) ,  酒井朗 (名大 院) ,  財満鎮明 (名大 先端研) ,  安田幸夫 (名大 院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 2  ページ： 908  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ニッケル ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ni ,  Ti ,  Si ,  系 ,  低温形成 ,  エピタキシャル ,  歪み ,  成長