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J-GLOBAL ID：200902277482414897   整理番号：09A1249480

次世代CMOSデバイス応用に向けたIV族半導体ハイブリッド基板構造の作製

著者 (1件)： 酒井朗 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 天野工業技術研究所年次報告
巻： 2008  ページ： 50-57  発行年： 2009年12月01日 
JST資料番号： X0985A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板の上に設けたMOSFETは,今日の高度情報化社会を支えるULSIのキーデバイスである。異なる表面結晶方位をもつSi基板を原子レベルで直接接合した基板(DSB基板)は,相補型(C-)MOSFETの担体移動度と電流駆動力を改善する有力候補技術のひとつである。本報告は,このSi(001)/Si(001)DSB基板に関する作製と評価について述べる。とりわけ,異なる表面方位をもつSi基板の原子接合過程のなかで導入される界面欠陥と格子歪みに関して,X線マイクロ回折法と透過型電子顕微鏡法を利用して得られた結果について述べている。DSB基板に生じた欠陥や面内異方性を有する原子配列がSi(001)層の格子面傾斜揺らぎに影響するとわかった。

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  MOSFET ,  半導体集積回路 ,  ケイ素 ,  半導体材料 ,  *ウエハ【IC】 ,  *結晶方位 ,  格子構造 ,  微細構造 ,  界面 ,  格子欠陥 ,  格子歪 ,  顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  合成構造 ,  半導体プロセス ,  貼合せ

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (7件)：

• http://www.itrs.net/Links/2008ITRS/Update/2008Tables_FOCUS_A.x1s
• C-Y. Sung, H. Yin, H. Y. Ng, K. L. Saenger, V. Chan, S. W. Crowder, J. Li, J. A. Ott, R. Bender-nagel, J. J. Kempisty, V. Ku, H. K. Lee, Z. Luo, A. Madan, R. T. Mo, P. Y. Nguyen, G. Pfeiffer, M. Paccioppo, N. Rovedo, D. Sadana, J. P. de Souza, R. Zhang, Z. Ren and C. H. Wann, in Tech. Dig. Mt. Electron Devices Meet.2005, P. 235.
• E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai. T. Senda, K. Izunome, M. Ogawa and S. Zaima, Thin Solid Films 517, 323(2008).
• S. Mochizuki, A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa and S. Zaima, Thin Solid Films 508, 128(2006).
• S. Takeda, S. Kimura, O. Sakata and A. Sakai, Jpn. J. Appi. Phys.45, L1054(2006).

タイトルに関連する用語 (3件)： 次世代CMOS ,  応用 ,  作製