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J-GLOBAL ID：200902285227492127   整理番号：08A0752850

前駆体としてジエチルアルミニウムエトキシドを用いたGaN上への酸化アルミニウム層の堆積

Deposition of aluminum oxide layer on GaN using diethyl aluminum ethoxide as a precursor

著者 (6件)： UESUGI Tsutomu (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  KACHI Tetsu (Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Nagakute 480-1192, JPN) ,  SUGIMOTO Masahiro (Electronics Engineering Div., Toyota Motor Corp., Toyota 470-0309, JPN) ,  MATSUYAMA Tetsuya (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  MIZUE Chihoko (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 1  ページ： 016103  発行年： 2008年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴支援化学気相堆積による前駆体としてジエチルアルミニウムエトキシド[(C₂H₅)₂AlOC₂H₅]を用いたGaN上への酸化アルミニウム(AlO_x)の堆積について実行可能性研究を行った。堆積したAlO_x層の屈折率と誘電率をそれぞれ1.59と8.3と決定した。X線光電子分光(XPS)研究は,Al-とO-内殻準位が標準結晶Al₂O₃のそれらと非常に接近し,AlO_x膜中に炭素に関連した重要なピークはないことを示した。XPSはまたGaN上に堆積したAlO_x層に対してバンドギャップ7.0eVと酸素組成1.48を示した。室温での堆積と消耗挙動を含めて,Ni/AlO_x/n-GaNダイオードに対して良好な容量-電圧(C-V)挙動を見出した。高温でもC-Vスロープは不変のままで,中間ギャップ近くで相対的に低い界面状態密度を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  前駆体 ,  *酸化アルミニウム ,  *化学蒸着 ,  ECRプラズマ ,  屈折率 ,  誘電率 ,  X線光電子スペクトル ,  内殻準位 ,  容量電圧特性 ,  バンドギャップ ,  化合物半導体 ,  MIS構造 ,  ニッケル ,  ダイオード ,  状態密度
準シソーラス用語： *化学気相堆積 ,  中間ギャップ ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： ジエチルエトキシアルミニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 前駆体 ,  ジエチルアルミニウムエトキシド ,  GaN ,  酸化アルミニウム層 ,  堆積