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J-GLOBAL ID：200902294511843370   整理番号：09A0735703

直接接合シリコン基板の開発

著者 (1件)： 酒井朗 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 生産と技術  (季刊誌生産と技術)
巻： 61  号： 3  ページ： 69-73  発行年： 2009年07月10日 
JST資料番号： F0270A  ISSN： 0387-2211  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代高性能MOS(金属-絶縁体-半導体)トランジスタの開発にはポストスケーリング技術の構築が重要であり,その1つとして直接接合シリコン(DSB)基板の適用が挙げられる。本論文では,チャネル/基板ヘテロ界面における欠陥制御研究の一環としてDSB基板を作製し,接合界面構造と基板結晶性の相関を調べた。具体的には,1)鏡面研磨されたSi(011)ウエハとSi(001)ウエハのRCA洗浄,2)クリーンルーム内の室温でのSi(001)ウエハの面内{011}方向とSi(001)ウエハの面内<220>方向が一致するような貼合せ,3)1時間の接合強化熱処理とSi(011)側の研削・研磨,4)1時間の酸化膜外方拡散熱処理を行った。次に,X線マイクロ解析光学法を用いて作製したDSB基板のSi(011)層からの022回折強度を調べ,格子面傾斜の局所的な揺らぎを検出した。また,透過電子顕微鏡法による接合界面欠陥の観察を行い,界面揺らぎが顕著であった[100]_Si(011)軸回りの格子面傾斜揺らぎが大きくなることがわかった。すなわち,界面構造の異方性が(022)格子面傾斜揺らぎに影響することが確かめられた。

シソーラス用語： *MOSFET ,  基板 ,  界面 ,  接合部 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  熱処理 ,  *電子顕微鏡観察 ,  ゆらぎ ,  表面構造 ,  *半導体材料
準シソーラス用語： DSB基板 ,  *MOSトランジスタ ,  シリコン ,  シリコン基板 ,  界面構造 ,  接合界面 ,  *電子顕微鏡法

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

引用文献 (7件)：

• http://www.itrs.net/Links/2008ITRS/Update/2008Tables_FOCUS_A.xls)
• C-Y. Sung, H. Yin, H. Y. Ng, K. L. Saenger,V. Chan, S. W. Crowder, J. Li, J. A. Ott, R. Bendernagel, J. J. Kempisty, V. Ku, H. K. Lee, Z. Luo, A. Madan, R. T. Mo, P. Y. Nguyen, G. Pfeiffer, M. Paccioppo, N. Rovedo, D. Sadana, J. P. de Souza, R. Zhang, Z. Ren, and C. H. Wann, in Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2005, p.235.
• E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, M. Ogawa, and S. Zaima, in Abstracts of Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures 2007, p.337.
• S. Mochizuki, A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa, and S. Zaima, Thin Solid Films 508, 128(2006).
• S. Takeda, S. Kimura, O. Sakata, and A. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1054(2006).

タイトルに関連する用語 (3件)： 直接接合 ,  シリコン基板 ,  開発