特許

J-GLOBAL ID：200903025160576543

高飽和磁束密度を有するCo-Fe-Ni磁性膜、およびこれを磁極に用いた複合型薄膜磁気ヘッド、並びに磁気記憶装置

発明者： 大橋 啓之 ,  斎藤 美紀子 ,  鳥羽 環
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128152
公開番号（公開出願番号）：特開2000-322707
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】5Oe以下の低保磁力、20000〜23000Gの高飽和磁束度を有するCoFeNi軟磁性膜を実現すること、及び高記録密度でも熱揺らぎの少ない磁気記憶装置を実現すること。【解決手段】コバルト含有量が50重量%以上80重量%以下、鉄含有量が20重量%以上40重量%以下、およびニッケル含有量が3重量%以上10重量%未満であり、平均結晶粒径が40nm以下であるCoFeNi磁性膜を電界めっきによって作製する。そして、この磁性膜を磁極層に用いた磁気ヘッドを構成し、かつ、媒体保磁力が3500〜7000Oeの高保磁力媒体と組み合わせた磁気記憶装置を構成する。

請求項（抜粋）：

コバルト含有量が50重量%以上80重量%以下、鉄含有量が20重量%以上40重量%以下、およびニッケル含有量が3重量%以上10重量%未満であり、平均結晶粒径が40nm以下であることを特徴とするコバルト・鉄・ニッケル磁性膜。

IPC (5件)：

G11B 5/31 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16

FI (6件)：

G11B 5/31 C ,  G11B 5/31 K ,  G11B 5/127 F ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16

Fターム (20件)：

5D033BA02 ,  5D033BA07 ,  5D033BA41 ,  5D033BB21 ,  5D033BB43 ,  5D033CA01 ,  5D033DA04 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BA18 ,  5D034BB02 ,  5D034BB08 ,  5D034CA06 ,  5D093HA01 ,  5D093HB23 ,  5D093JA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049BA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁性合金膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-060328   出願人：株式会社日立製作所
• Co-Ni-Feを主成分とする軟磁性薄膜,その製造方法,それを用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-003530   出願人：学校法人早稲田大学, 日本電気株式会社
• コバルト・鉄・ニッケル磁性薄膜とその製造方法,及びそれを用いた複合型薄膜磁気ヘッドと磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-009545   出願人：学校法人早稲田大学, 日本電気株式会社, 茨城日本電気株式会社
• Co-Ni-Fe-B合金電気めっき薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-191894   出願人：住友金属工業株式会社