特許

J-GLOBAL ID：200903027082182048

不揮発性半導体メモリ

発明者： 丹沢 徹 ,  渥美 滋 ,  番場 博則 ,  山田 誠司 ,  森 誠一 ,  栗山 正男 ,  大塚 伸朗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-227959
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313644
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：

【課題】複数のセルアレイブロック内の複数のメモリセルに同時にデータの書込みを行う。【解決手段】複数の不揮発性のメモリセルと複数のワード線と複数のビット線を備えたセルアレイブロックを複数有するメモリコア部と、1つのセルアレイブロック内の複数のメモリセルについて同時にデータを消去し、複数のセルアレイブロック内の複数のメモリセルに同時にデータを書込む手段とを具備する。【選択図】 図19

請求項（抜粋）：

複数の不揮発性のメモリセルと複数のワード線と複数のビット線を備えたセルアレイブロックを複数有するメモリコア部と、 1つのセルアレイブロック内の複数のメモリセルについて同時にデータを消去し、複数のセルアレイブロック内の複数のメモリセルに同時にデータを書込む手段 とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (3件)：

G11C17/00 611G ,  G11C17/00 622A ,  G11C17/00 612F

Fターム (11件)：

5B125BA01 ,  5B125CA04 ,  5B125CA06 ,  5B125DB02 ,  5B125DC03 ,  5B125EA01 ,  5B125EB01 ,  5B125EC06 ,  5B125EF09 ,  5B125FA02 ,  5B125FA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-240289   出願人：株式会社東芝
• 特開昭57-069585
  
• 半導体不揮発性記憶装置及びその書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290168   出願人：株式会社東芝
• 特開昭57-069585