特許

J-GLOBAL ID：200903028135088550

錐体型微小構造体及びその製造方法

発明者： 辻 佳子 ,  野田 優
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-291802
公開番号（公開出願番号）：特開2005-063798
出願日： 2003年08月11日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】電界集中が局所的に起こらず、従って発熱等による劣化が少ない先端が鋭く尖った構造体、並びに先端の曲率を一定に揃えることができ、且つ高密度に形成できるその製造方法を提供する。【解決手段】Si単結晶基板1上にSi基板/金属シリサイド/Si薄膜のダブルヘテロエピタキシャル構造4を形成し、H2 中で熱処理し、自己整合的な再成長により、Si単結晶5からなる島状構造が形成すると共に島5と島5の間隙に金属シリサイド6を凝集させる。CVD法によりSiをエピタキシャル成長すれば、金属シリサイド6が表面反応過程を促進する触媒として働き、球状の金属シリサイド7を頂点に有するSi単結晶からなる錐体型微小構造体8が形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板とこの基板上に垂直又はほぼ垂直に成長した錐体形状のSi単結晶とを有し、上記錐体形状のSi単結晶の先端に球形の金属シリサイドを有することを特徴とする、錐体型微少構造体。

IPC (2件)：

H01J1/304 ,  H01J9/02

FI (2件)：

H01J1/30 F ,  H01J9/02 B

Fターム (28件)：

5C127AA01 ,  5C127BA02 ,  5C127BA05 ,  5C127BA12 ,  5C127BB12 ,  5C127BB13 ,  5C127CC03 ,  5C127CC07 ,  5C127DD07 ,  5C127DD08 ,  5C127DD33 ,  5C127DD38 ,  5C127EE02 ,  5C127EE04 ,  5C127EE20 ,  5C135AA02 ,  5C135AA05 ,  5C135AA12 ,  5C135AB12 ,  5C135AB13 ,  5C135AC03 ,  5C135AC04 ,  5C135AC09 ,  5C135GG12 ,  5C135GG13 ,  5C135HH02 ,  5C135HH04 ,  5C135HH06