特許

J-GLOBAL ID：200903042391236593

表面抵抗測定方法及び装置

発明者： 楠 正暢 ,  原田 啓太郎 ,  高野 祥暢 ,  横尾 政好
出願人/特許権者： 東北精機工業株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-024901
公開番号（公開出願番号）：特開2003-227855
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 被測定導体の表面抵抗を非破壊で測定する。被測定導体の表面抵抗を一回の測定で多点測定する。被測定導体の大面積導体の膜品質の面内分布を評価する。【解決手段】 基板ホルダーに表面抵抗値が既知の比較対照導体と平行に被測定導体を装着し、誘電体ロッドを前記基板ホルダーに装着された被測定導体の高さで当該誘電体ロッドと前記被測定導体とが接触しないよう一定距離に保持し、前記誘電体ロッドを有する共振器に高周波電磁波を印加して電磁界を発生させて被測定導体と前記比較対照導体との間で共振させ、この共振現象により前記被測定導体の表面抵抗を測定することを特徴とする表面抵抗測定方法である。

請求項（抜粋）：

基板ホルダーに表面抵抗値が既知の比較対照導体と平行に被測定導体を装着し、誘電体ロッドを前記基板ホルダーに装着された被測定導体の高さで当該誘電体ロッドと前記被測定導体とが接触しないよう一定距離に保持し、前記誘電体ロッドを有する共振器に高周波電磁波を印加して電磁界を発生させて被測定導体と前記比較対照導体との間で共振させ、この共振現象により前記被測定導体の表面抵抗を測定することを特徴とする表面抵抗測定方法。

IPC (2件)：

G01R 27/02 ,  G01N 22/00

FI (2件)：

G01R 27/02 R ,  G01N 22/00 J

Fターム (11件)：

2G028AA01 ,  2G028BB05 ,  2G028BB11 ,  2G028BC01 ,  2G028BC02 ,  2G028CG02 ,  2G028DH09 ,  2G028DH14 ,  2G028EJ01 ,  2G028FK03 ,  2G028FK07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-098520   出願人：株式会社村田製作所
• 超伝導体厚膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230570   出願人：株式会社村田製作所

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Spatially resolved measurements of the microwave surface resistance of HTS thin films with a dielect
• Spatially resolved measurements of the microwave surface resistance of HTS thin films with a dielect
• 高温超伝導薄膜の表面抵抗測定装置の開発
• 誘電体共振器における放射損が表面抵抗測定に及ぼす影響