特許

J-GLOBAL ID：200903075307457470

半導体素子及びその製造方法

発明者： 小川 芳孝 ,  高橋 康隆 ,  大矢 豊 ,  伴 隆幸
出願人/特許権者： 株式会社三陽電機製作所
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221499
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058837
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 高温環境に強く、かつ透明である。【解決手段】 透明絶縁基板11上にNiに対し1%のLiを含むNiアルコキシドを塗布し、これに対し、フォトレジスト法によりパターニングした後、500〜600°C程度で焼結してNiO(1%Li)のソース領域15、ドレイン領域16、チャネル領域17を形成する(C)、Tiアルコキシドを塗布し、パターニングし、500〜600°Cで焼結してTiO2 のゲート領域18とNiTiO3 のゲート絶縁膜24を形成する。領域15,16,18の各厚さは10〜200nmとされる。ITOの電極21,22,23を各領域に形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、その絶縁基板上に形成され、厚さが500nm以下の第1導電形の金属酸化物層と、上記絶縁基板上に形成され、上記第1導電形の金属酸化物層と一部が接触し、厚さが500nm以下の第2導電形の金属酸化物層とを有する半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 618 E