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J-GLOBAL ID：201002262669778381   整理番号：10A1536987

天然酸化物で被覆したp-InP表面のエア-ギャップ静電容量-電圧解析

Air-Gap Capacitance-Voltage Analyses of p-InP Surfaces Covered with Natural Oxide

著者 (2件)： YOSHIDA Toshiyuki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 11  ページ： 116601.1-116601.3  発行年： 2010年11月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 天然酸化物で被覆し,フッ化水素(HF)酸で処理したp-InP表面のエア-ギャップ 静電容量-電圧(C-V)特性を初めて報告した。これらの表面は,大きくて特徴的なヒステリシスを持つ深い空乏C-V挙動を示した。得たC-V曲線を解釈するため,バンドギャップにドナー様離散レベルを導入したモデルを使った。このモデルのもう一つの仮定は,基板の少数担体の離散レベルおよび/または生成-再結合率の捕獲速度は,非常に低いことである。このモデルの使用によって,測定したエア-ギャップC-V曲線を,うまく再現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化物 ,  被覆 ,  *リン化インジウム ,  *静電容量 ,  *電圧 ,  フッ化水素 ,  ヒステリシス ,  バンドギャップ ,  ドナー ,  離散系 ,  エネルギー準位 ,  モデル ,  再結合

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (20件)：

• LUBOW, A. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 122105
• CHIN, H.-C. IEEE Trans. Electron Devices. 2010, 57, 973
• ISHII, H. Appl. Phys. Express. 2009, 2, 121101
• YE, P. D. J. Vac. Sci. Technol. A. 2008, 26, 697
• XUAN, Y. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 294

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  エア ,  ギャップ ,  静電容量 ,  解析