プラズマエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：廣澤勲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-353799
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165228
特許番号：特許第4470717号
出願日： 2004年12月07日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸化物材料である被エッチング材料の表面をエッチングガスによる反応性イオンによりエッチングするプラズマエッチング方法において、少なくともフッ素原子を含むガスを主成分とし、それらに不活性ガスやハロゲンガスを混合したフッ素含有プラズマを用いて、このプラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加するエッチング工程と、前記プラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加しない若しくはエッチングが進行しない程度のセルフバイアス電圧を印加して、前記被エッチング材料表面を覆った金属製のエッチングマスクの表面改質を行う工程とを、交互に繰り返してエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (1件)：