特許
J-GLOBAL ID：200903059325124180

種々の基板を異方性プラズマ加工する方法

発明者：
フランツ レルマー

フランツ レルマー について

, 
アンドレア シルプ

アンドレア シルプ について


出願人/特許権者：
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング

ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-517070
公開番号（公開出願番号）：特表2000-502512
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：
【要約】本発明は、異方性のプラズマ加工を用いてエッチングされた構造体を基板中に製造する方法に関し、この場合には、互いに別個に二者択一的にそれ自体等方的なエッチング工程および側壁の不動態化が実施され、その際基板(2)は、ポリマー、金属または多成分系であり、側壁の不動態化の間に施こされた側壁不動態化層(6)の一部分(8)は、それぞれ次のエッチング工程の間に側壁(7)の露出された側面(7′)上に備えられ、それによって処理全体は異方的にされる。
請求項（抜粋）：
互いに別個に二者択一的にそれ自体等方的なエッチング工程および側壁の不動態化を実施することにより、異方性のプラズマ加工を用いてエッチングされた構造体を基板中に製造する方法において、基板(2)が、ポリマー、金属または多成分系であり、側壁の不動態化の間に施こされた側壁不動態化層(6)の一部分(8)を、それぞれ次のエッチング工程の間に側壁(7)の露出された側面(7′)上に備えさせ、それによって処理全体を異方的にすることを特徴とする、基板中でのエッチングされた構造体の製造法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2件)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 A
引用特許：
審査官引用 (23件)
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