特許

J-GLOBAL ID：201103036818904663

浄化装置

発明者： 古谷 正裕 ,  常磐井 守泰 ,  高橋 毅 ,  小林 博和 ,  田中 伸幸 ,  三上 己紀 ,  黒田 昌宏
出願人/特許権者： 財団法人電力中央研究所
代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-053641
公開番号（公開出願番号）：特開2006-231292
特許番号：特許第4534144号
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも表面層がチタン、チタン合金、チタン合金酸化物又は酸化チタンである基体に一体的に形成された、炭素がTi-C結合の状態でドープされているが窒素はドープされていない酸化チタン又はチタン合金酸化物からなる多機能層を、表面の少なくとも一部に有し且つ被処理流体の流路に設けられて当該被処理流体を前記多機能層に接触させる構造を有する浄化部材を具備することを特徴とする浄化装置。

IPC (5件)：

B01D 53/86 ( 200 6.01) ,  B01J 27/22 ( 200 6.01) ,  B01J 35/02 ( 200 6.01) ,  C02F 1/32 ( 200 6.01) ,  C02F 1/72 ( 200 6.01)

FI (5件)：

B01D 53/36 ZAB J ,  B01J 27/22 A ,  B01J 35/02 J ,  C02F 1/32 ,  C02F 1/72 101

引用特許：

出願人引用 (4件)

• チタン系材料の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-265462   出願人：フジオーゼックス株式会社
• 高活性光触媒炭素ドープ二酸化チタンとその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-335975   出願人：日本原子力研究所
• 二酸化チタン微粒子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-301138   出願人：東芝セラミックス株式会社
• プラズマCVDによる炭化物コーティング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-274681   出願人：新技術事業団

審査官引用 (4件)

• 二酸化チタン微粒子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-301138   出願人：東芝セラミックス株式会社
• プラズマCVDによる炭化物コーティング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-274681   出願人：新技術事業団
• チタン系材料の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-265462   出願人：フジオーゼックス株式会社
• 高活性光触媒炭素ドープ二酸化チタンとその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-335975   出願人：日本原子力研究所