不揮発性半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061449
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251789
特許番号：特許第3447886号
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】多値のデータを記憶するメモリセルがマトリクス状に配置されて構成されるメモリセルアレイと、前記メモリセルへデータを書き込むとき、前記メモリセルへの書き込みデータをラッチするラッチ手段と、前記メモリセルからデータを読み出すとき、前記メモリセルからの読み出しデータをセンス・ラッチするセンス・ラッチ手段とを含み、前記多値のデータの数をnとしたとき、前記ラッチ手段、センス・ラッチ手段の、数がm(mは、2(m-1) IPC (5件)：

G11C 16/02 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792