特許

J-GLOBAL ID：201103058224474590

半導体装置

発明者： 山下 朋弘 ,  小森 重樹 ,  犬石 昌秀
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-223939
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070250
特許番号：特許第3958388号
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1不純物濃度を有する第1導電型の半導体基板と、 第2不純物濃度の不純物濃度ピークを有し、前記半導体基板の主表面に形成される前記第1導電型のレトログレードウェルと、 前記レトログレードウェルの下側に接し、濃度が前記第1不純物濃度および前記第2不純物濃度の不純物濃度ピークよりも小さい第3不純物濃度を最大値とする第1の不純物層と、 前記レトログレードウェル上に形成されるMOS型トランジスタと、 前記半導体基板の前記主表面における、前記レトログレードウェルとは別の領域に形成され、前記第1導電型の第4不純物濃度の不純物濃度ピークを有する第2の不純物層と、 この第2の不純物層に隣接して前記半導体基板の主表面に形成され、第2導電型の第5不純物濃度の不純物濃度ピークを有する第3の不純物層と、 少なくとも前記第2および第3の不純物層上に形成され、前記MOS型トランジスタを制御するためのCMOSトランジスタを含む、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/10 691 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/08 331 D

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-005469
  
• 特開平4-003920
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087330   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-286757   出願人：株式会社日立製作所