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J-GLOBAL ID：201202184875997859   整理番号：12A1395624

極薄Siキャップ層を用いたSiGe歪緩和バッファー層形成

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著者 (5件)：
杉本賢

杉本賢 について

(名大 院)

名大 院 について

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岡田昌久

岡田昌久 について

(名大 院)

名大 院 について

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酒井朗

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(名大 院)

名大 院 について

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財満鎮明

財満鎮明 について

(名大 先端研)

名大 先端研 について

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安田幸夫

安田幸夫 について

(名大 院)

名大 院 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 61st  号： 1  ページ： 332  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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Si

Si について

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キャップ層

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SiGe

SiGe について

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歪緩和

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バッファー層

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