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J-GLOBAL ID：201202202793783743   整理番号：12A0021377

新しいGaN HEMT SPICEモデルによるAC-AC直接変換器の損失評価

Loss Evaluation of an AC-AC Direct Converter with a New GaN HEMT SPICE Model

著者 (12件)： OKAMOTO Masayuki (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  OKAMOTO Masayuki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TOYODA Genki (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TOYODA Genki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HIRAKI Eiji (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  HIRAKI Eiji (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TANAKA Toshihiko (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TANAKA Toshihiko (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KACHI Tetsu (TOYOTA CENTRAL R&D Labs., Inc., Aichi, JPN) ,  KACHI Tetsu (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Energy Conversion Congress and Exposition  (IEEE Energy Conversion Congress and Exposition)
巻： 2011 Vol.3  ページ： 1795-1800  発行年： 2011年 
JST資料番号： C0800A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SPICEによるシミュレーションプログラムのためのGaNを用いたトランジスタとSchottky障壁ダイオードのモデルを示した。SPICEシミュレーションの結果,GaNを用いた素子の静特性と動特性をSPICEモデルによって正確にシミュレートされることを示した。単相AC-AC直接変換器へGaNを用いた素子を応用した結果,シリコンを用いた素子に比べ30%以上電力損失を低減した。

シソーラス用語： *HEMT ,  SPICEプログラム ,  *電力変換器 ,  Schottky障壁ダイオード ,  電流電圧特性 ,  ダイオードモデル ,  等価回路 ,  回路シミュレーション ,  電気損失
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *AC-ACコンバータ ,  電力損失

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  HEMT ,  SPICEモデル ,  Ac ,  直接変換 ,  損失評価