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J-GLOBAL ID：201202290194171620   整理番号：12A0543252

SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析

Characterization and Analysis of Low-Frequency Noise in SiN Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs

著者 (3件)： 村松徹 ,  葛西誠也 ,  谷田部然治
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 426(SDM2011 159-175)  ページ： 89-93  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており,系統的評価や理解が必要である。本研究では次世代集積回路スイッチングデバイスの1つであるIII-V族化合物半導体絶縁ゲートナノワイヤトランジスタをとりあげ,低周波雑音の素子サイズ依存性の評価及びその解析を行った。本素子ではゲート絶縁膜であるSiN中の電子トラップ充放電による雑音が観測された。ナノワイヤ幅の微細化にともない雑音強度が増加すると同時に,スペクトル形状が1/fから1/f²に連続的に変化した。電子トラップ分布を仮定したスペクトル計算を行い,特定の時定数を有するトラップの時定数分布広がりによってスペクトルの形状が連続的に変化することを説明する。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *MISFET ,  ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  *低周波雑音 ,  化合物半導体 ,  スイッチング素子 ,  酸化膜 ,  絶縁膜 ,  充電 ,  放電 ,  *雑音解析 ,  1/f雑音 ,  時定数 ,  分布関数 ,  サイズ効果 ,  雑音指数 ,  スペクトル解析 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ナノワイヤFET ,  電子トラップ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： SiN ,  絶縁 ,  ゲート ,  GaAs ,  エッチング ,  ナノワイヤFET ,  低周波 ,  雑音特性 ,  評価 ,  解析