文献

J-GLOBAL ID：201302231584695630   整理番号：13A1721228

XPSを用いたHfO₂/SiおよびY₂O₃/Siアニール界面の構造解析

著者 (12件)： 豊嶋祐樹 (兵庫県大) ,  谷脇将太 (兵庫県大) ,  堀田育志 (兵庫県大) ,  堀田育志 (JST-CREST) ,  吉田晴彦 (兵庫県大) ,  吉田晴彦 (JST-CREST) ,  新船幸二 (兵庫県大) ,  新船幸二 (JST-CREST) ,  小椋厚志 (明治大) ,  小椋厚志 (JST-CREST) ,  佐藤真一 (兵庫県大) ,  佐藤真一 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19A-C7-7  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *ケイ素 ,  *酸化イットリウム ,  熱処理 ,  *X線光電子スペクトル ,  レーザ蒸着 ,  界面 ,  *二酸化ケイ素 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： XPS ,  HfO2 ,  Si ,  Y2O3 ,  アニール ,  界面 ,  構造解析