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J-GLOBAL ID:201402229822607437   整理番号:14A0441953

個別アンチモン化ガリウム量子ドットのナノスケール分解近赤外光吸収分光とイメージング

Nanoscale-resolved near-infrared photoabsorption spectroscopy and imaging of individual gallium antimonide quantum dots
著者 (5件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 011803-011803-6  発行年: 2014年01月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコン基板上にエピタキシャル成長されたアンチモン化ガリウム(GaSb)の個別の量子ドットの近赤外光吸収スペクトルをナノスケール分解分光測定と走査型トンネル顕微鏡(STM)を介したイメージングとによって研究した。数分の短い取得時間で,トンネル電流無しのSTMに基づいた光変調電流分光(STM-PMCS)により著者らの試料が約0.78eVの中心を持つピークを有する光吸収を示すことがわかった。STM-PMCSイメージングの空間的変動はドットサイズの相違に由来する。しかしながら,STM-PMCS像は光強度変調を通してチップ膨張効果が生じるので,トンネル領域における信号起源の解釈を許容するには不十分で曖昧である。チップ膨張効果の無い,STMベース電場変調分光(STM-EFMS)によって明らかにされたスペクトル特徴はGaSb量子ドットの束縛状態についての量子閉じ込め効果に帰せられる約0.8eVの大幅なサイズ依存エネルギーシフトを示した。STM-PMCSとSTM-EFMSの両方の利点を利用した著者らのアプローチはナノスケール対象物の光吸収特性を解明することにおいて効率的である。(翻訳著者抄録)
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分類 (4件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  ,  赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  ,  顕微鏡法 

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