文献

J-GLOBAL ID：201502206159612861   整理番号：15A1044381

X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価

著者 (10件)： 内山星郎 (大阪大 大学院) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院) ,  荒内琢士 (大阪大 大学院) ,  橋本健宏 (山口大 大学院) ,  山根啓輔 (豊橋技科大) ,  岡田成仁 (山口大 大学院) ,  今井康彦 (JASRI/SPring-8) ,  木村滋 (JASRI/SPring-8) ,  只友一行 (山口大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13P-1D-8  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *エピタクシー ,  X線回折 ,  *格子欠陥 ,  極性 ,  表面 ,  ロッキングカーブ
準シソーラス用語： *HVPE【薄膜成長】 ,  シンクロトロンX線回折 ,  半極性 ,  微小部X線回折

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： X線 ,  回折 ,  半極性 ,  GaN ,  厚膜 ,  欠陥 ,  分布 ,  評価