文献

J-GLOBAL ID：201502210566790844   整理番号：15A1357711

酸化亜鉛ヘテロ界面の高品質化と2次元量子輸送現象

Two-dimensional quantum transport in high-quality ZnO heterointerfaces.

著者 (4件)： FALSON Joseph (マックスプランク固体物理学研) ,  小塚裕介 (東大 大学院工学系研究科 量子相エレクトロニクス研究セ) ,  塚崎敦 (東北大 金属材料研) ,  川崎雅司 (東大 大学院工学系研究科 量子相エレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 84  号： 11  ページ： 984-990  発行年： 2015年11月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)はワイドギャップ半導体の1つとして,透明導電膜や紫外発光素子へ向けた研究が精力的に行われてきた。半導体的な性質を引き出すために,清浄かつ高品質な界面形成技術の開発を進める中で,極めて高い移動度を示す2次元電子の形成という別の側面で大きく研究が発展した。最近では,ZnO膜中に混入する不純物の劇的な低下により,試料界面の清浄度を評価する指標としての2次元電子の電子散乱頻度は,長い間最も清浄な半導体界面と考えられているヒ化ガリウムに匹敵するレベルに達した。本稿では,ZnO膜の高品質化とそれに伴って観測された興味深い量子輸送現象を紹介し,ZnO2次元系を舞台とする,量子ホール効果の新しい物理と量子情報素子への将来展望を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  量子Hall効果 ,  FET【トランジスタ】 ,  *キャリア移動度 ,  移動度 ,  化合物半導体 ,  キャリア密度 ,  *輸送現象 ,  磁気抵抗 ,  電気抵抗 ,  薄膜 ,  電子系 ,  二次元 ,  分数量子Hall効果 ,  ヘテロ接合 ,  界面 ,  不純物濃度
準シソーラス用語： 高移動度酸化物半導体 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  量子輸送現象 ,  Hall抵抗 ,  ZnO薄膜 ,  二次元電子系 ,  ヘテロ界面

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (57件)：

• 高橋清,長谷川文夫,吉川明彦: ワイドギャップ半導体光・電子デバイス (森北出版, 2006).
• R. Dingle, H.L. Störmer, A.C. Gossard, and Wiegmann: Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
• T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, and K. Nanbu: Jpn. J. Appl. Phys. 19, L225 (1980).
• P.Y. Yu and M. Cardona: Fundamentals of Semiconductors (Springer, 2010) 4th ed, Chap. 5.
• L. Pfeiffer and K.W. West: Phys. E 20, 57 (2003).

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化亜鉛 ,  ヘテロ界面 ,  高品質化 ,  2次元 ,  量子輸送現象