特許
J-GLOBAL ID：201503053974220902
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-242375
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041693
特許番号：特許第5661902号
出願日： 2013年11月22日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1方向に延伸するワード線と、
前記第1方向と交わる第2方向に延伸するビット線と、
前記第1方向または前記第2方向に延伸するソース線と、
前記ワード線と前記ビット線の交点に配置されるメモリセルと、
前記ビット線と前記ソース線を駆動する書き込み回路とを備え、
前記メモリセルは、
前記ワード線が活性化された際に前記ビット線と前記ソース線の間に電流経路を形成するスイッチ素子と、
前記電流経路上に直列に挿入された第1および第2抵抗変化型記憶素子とを有し、
前記第1抵抗変化型記憶素子の抵抗値を変化させるために必要な第1の電流の大きさは、前記第2抵抗変化型記憶素子の抵抗値を変化させるために必要な第2の電流の大きさより大きく、
変化の前後における前記第1抵抗変化型記憶素子の抵抗値の差は、変化の前後における前記第2抵抗変化型記憶素子の抵抗値の差とは異なり、
前記書き込み回路は、前記第1および第2抵抗変化型記憶素子の少なくとも一方に対して所定の電流を用いた書き込みを行うことで前記メモリセルに2値情報を記憶させる2値動作モードを備え、前記2値動作モードの際に、初期状態として前記第1の電流を用いた書き込みを行ったのちは、前記第2の電流を継続して用いることで前記2値情報を記憶させることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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