スピン転移スイッチングを利用し且つ複数のビットを記憶する磁気メモリ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-524840
公開番号（公開出願番号）：特表2007-504651
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

複数のビットを記憶可能な磁気素子を提供するための方法及びシステムを開示する。本方法及びシステムには、第1固定層、第1非磁性層、第1自由層、接続層、第2固定層、第2非磁性層及び第2自由層を設ける段階が含まれる。第1固定層は、強磁性体であり、第1方向に固定された第1固定層磁化を有する。第1非磁性層は、第1固定層と第1自由層との間にある。第1自由層は、強磁性体であり、第1自由層磁化を有する。第2固定層は、強磁性体であり、第2方向に固定された第2固定層磁化を有する。接続層は、第2固定層と第1自由層との間にある。第2非磁性層は、第2固定層と第2自由層との間にある。第2自由層は、強磁性体であり、第2自由層磁化を有する。磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する際のスピン転移により第1自由層磁化及び第2自由層磁化が方向を変更可能となるように構成される。

請求項（抜粋）：

複数のビットを記憶可能な磁気素子であって、強磁性体であり、第1方向に固定された第1固定層磁化を有する第1固定層と、導電性の第1非磁性層と、強磁性体であり、第1自由層磁化を有する第1自由層であって、前記第1固定層と前記第1自由層との間に前記第1非磁性層が存在する前記第1自由層と、接続層と、強磁性体であり、第2方向に固定された第2固定層磁化を有する第2固定層であって、前記第2固定層と前記第1自由層との間に前記接続層が存在する前記第2固定層と、導電性の第2非磁性層と、強磁性体であり、第2自由層磁化を有する第2自由層であって、前記第2固定層と前記第2自由層との間に前記第2非磁性層が存在する前記第2自由層と、を備え、前記磁気素子は、書き込み電流が前記磁気素子を通過する際のスピン転移により、前記第1自由層磁化及び前記第2自由層磁化が方向を変更可能となるように構成される、磁気素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 110 , H01L43/08 Z

Fターム (26件)：

4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD10 , 4M119DD25 , 4M119JJ03 , 4M119KK15 , 5F092AA04 , 5F092AB06 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB42 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC12 , 5F092BC45 , 5F092BC46 , 5F092BC47 , 5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-265663 出願人：株式会社東芝
メモリセル装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-066411 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気メモリ及び磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-097761 出願人：株式会社東芝

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