Taguchi Hideyuki について
Physical Analysis & Evaluation Center, Electronics Division, Kobelco Research Institute, Inc., 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, Japan について
Taguchi Hideyuki について
Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan について
Miyake Shugo について
Physical Analysis & Evaluation Center, Electronics Division, Kobelco Research Institute, Inc., 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, Japan について
Suzuki Atsushi について
Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan について
Kamiyama Satoshi について
Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan について
Fujiwara Yasufumi について
Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan について
Materials Science in Semiconductor Processing について
窒化ガリウム について
半導体薄膜 について
結晶度 について
切削 について
半導体チップ について
格子歪 について
Raman分光法 について
サファイア について
基板 について
レーザアブレーション について
応力緩和 について
GaN について
ウエハダイシング について
結晶性 について
GaN epitaxial layer について
Crystallinity について
Crystal lattice distortion について
Raman spectroscopy について
Wafer dicing process について
固体デバイス計測・試験・信頼性 について
ウエハダイシング について
GaN について
エピタキシャル層 について
結晶性 について
評価 について